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MMBTH10中文资料

MMBTH10图片

MMBTH10外观图

  • 大小：273.04KB
  • 厂家：TD
  • 描述：
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：RF 晶体管 (BJT)
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：25V
  • 频率 - 转换：650MHz
  • 噪声系数（dB典型值@频率）：-
  • 增益：-
  • 功率 - 最大：225mW
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：60 @ 4mA，10V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：50mA
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：MMBTH10FSTR

MMBTH10供应商

更新时间:2023-01-03 16:28:50
批量询价 所在地：全国北京上海深圳浙江江苏广东山东广州汕头陕西
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  • 供应商
  • 产品型号
  • 服务标识
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 说明
  • 询价
  • 深圳市金棕榈半导体有限公司

  • MMBTH10

    MMBTH10
  • 严选现货

    严选现货= 现货+好口碑+品质承诺

    带有此标记的料号：

    1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了2万保证金，经维库认证中心严格审查。

    2. 供应商承诺此料号是“现货” ，如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半)，投诉成立奖励您500元。

  • 60000

  • CJ/长晶

  • SOT23/24+

  • 代理有售样品优势价格

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MAX3232CPEMMSZ5242B-7-FMXC62025XVM74VHC1GT32DFT2GMJD210T4GMAX1627ESAMMBZ5248BMAX3491EESD+TMX29LV040CQC-70GMX25L6435EM2I-10G

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